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有機金屬化學氣相沉積/MOCVD/ENI HT-200U
有機金屬化學氣相沉積/MOCVD
ENI HT-200U MOCVD為台灣與韓國共同開發，高溫MOCVD,其生長溫度在於≤1400°C,其高溫特性主要應用在異質介面的生長。目前該設備用在氮化鎵功率晶體長晶使用。
晶圓可放片數：6 英寸 x 4 片，4 英寸 x 8 片
GaN On Si / GaN on SiC
GaN on Sapphire
相關應用
GaN 氮化鎵功率晶體
SiC 碳化矽的射頻元件
有機金屬化學氣相沉積/MOCVD/AIXTRON G5HT
有機金屬化學氣相沉積/MOCVD
AIXTRON G5HT
MOCVD對鍍膜成分、晶相等品質容易控制，可在形狀複雜的基材、襯底、上形成均勻鍍膜，結構密緻，附著力良好之優點，因此MOCVD已經成為工業界主要的鍍膜技術。
晶圓可放片數：6 英寸 x 8片
GaN on Sapphire
GaN On Si
相關應用
三五族化合物如GaN、GaAs基發光二極體、雷射器和探測器
相關應用
三五族化合物如GaN、GaAs基發光二極體、雷射器和探測器
有機金屬化學氣相沉積/MOCVD/Nippon SANSO - UR25K
有機金屬化學氣相沉積/MOCVD
NIPPON SANSO UR25K MOCVD為大氣壓長晶設備可表現出最高生產率的自動化零件處理系統，通過高增長率磊晶實現最低的成本，並且使用 Cl2 作為清潔工具其產量最高，均勻性佳，整體產出效率較佳。
晶圓可放片數：6 英寸 x 3片
GaN on Sapphire
相關應用
三五族化合物如GaN、GaAs基發光二極體、雷射器和探測器
磊晶烘烤設備 / Baking Furnace /ThermoNik THBF-6060G
真空高溫烘烤爐 /Baking Furnace
THBF-6060G 主要MOCVD乘載盤與支架於生產後，乘載盤與支架會送至清潔，去除乘載盤上的沉積物，清洗後的乘載盤/支架需充分的去除水氣，所以需使用高溫(1400℃)烘烤爐來進行烘烤。
相關應用
Si epitaxy / MOCVD在長晶過程中，graphite乘載盤/支架清洗後的水氣去除烘烤使用。
磊晶烘烤設備 / Temperature Test Chamber / OST-THB04-C03
原物料恆溫箱 /Temperature Test Chamber
OST-THB04-C03 主要MO原物料儲存使用的烘箱將MO生產所需要的氣體鋼瓶，存放其中。
相關應用
MO Source存放用