瀚柏科技股份有限公司獲得韓國E&i Solutions高溫磊晶機獨家代理權

200U MOCVD

2021/6/1

第三代半導體材料近期在市場上受到極大關注,包括碳化矽(SiC)材料以及氮化鎵(GaN)產品,台灣的半導體廠紛紛投入氮化鎵市場。隨著此類第三代半導體材料具有更高效節能、更高功率等優勢,其產品更適合應用在功率器件上使用。依照半導體材料分類,第一代半導體材料主要是矽及鍺,也是目前最大宗的半導體材料,其成本相對便宜,製程技術也最為成熟,應用領域在資訊產業以及微電子產業;第二代半導體材料則包括砷化鎵以及磷化銦,主要應用在通訊產業以及照明產業;而第三代半導體才以碳化矽以及氮化鎵為代表,則應用在更高階的高壓功率元件以及高頻通訊元件領域。

瀚柏科技與合作夥伴韓國CrystalPeople公司,取得韓國E&I Solutions在中國以及台灣地區獨家代理權。代理高溫磊晶機領導品牌E&I Solutions所生產的MOCVD磊晶設備。該設備可以應用於Si(矽)基板上生長GaN(氮化鎵)或SiC(碳化矽)基板上生長GaN (氮化鎵)材料。該設備主要特色是應用氮化鎵(GaN)在異質介面的基板上進行長晶時,需要以AlN(氮化鋁)做為緩衝層,來銜接氮化鎵的生長,現行市場上的MOCVD其生長溫度均為1200度,相對於AlN(氮化鋁)緩衝層 生長速度緩慢,其生長厚度大約在(2000A)0.2um左右。但200U型的設計在於其操作溫度為1400℃,在1400℃的高溫環境下,AlN(氮化鋁)的生長速度較快(2~3 um/hr)可得到2~3um厚度的緩衝層。厚度較厚的緩衝層,在材料上可以得到較高的能階。
在UVC磊晶應用上,厚度較高的的ALN(氮化鋁)所獲得的能階較大,配合磊晶結構調整相對波長就容易往短波長方向生長,而達到UVC規格。其產品可以應用在殺菌/固化等消費性市場。
在Si(矽)上GaN(氮化鎵)或SiC(碳化矽)上GaN (氮化鎵)的應用上,厚度較厚的 AlN(氮化鋁)緩衝層,對於在異質介面上生長氮化鎵其長晶結構會更穩定。並且在厚度較高的AlN(氮化鋁)緩衝層中,可參雜不同的材料,讓材料從半絕緣變成半導體,進而在元件設計上有較多不同的應用。其產出的產品GaN(氮化鎵)可應用在高壓功率元件以及高頻通訊元件之相關領域上。

近年來GaN(氮化鎵)功率器件正迅速確立其在電子電力領域的地位,更是新一代功率元器件的半導體材料。物理性能優異,其高頻特性使其在低耐壓領域的應用日益廣泛。更為半導體產業注入大幅成長動能,加上市場應用長期看漲,使得半導體設備與材料市場需求大增。
瀚柏科技在半導體設備領域深耕多年,主要專長著重在兩大領域。一是磊晶設備(MOCVD),磊晶設備是晶圓生產製造的關鍵核心設備。瀚柏科技在MOCVD磊晶設備銷售上除了AIXTRON / VEECO兩大既有品牌之外,還攜手韓國合作夥伴,代理韓國E&I Solutions的MOCVD,主要是在GaN氮化鎵磊晶生長的技術上,用更專業的角度與思維,提供客戶不同的選擇。其二是半導體製程設備(黃光/薄膜/蝕刻/沉積)等。更長期致力於半導體製程領域中,瀚柏科技致力於提供創新的、可持續的產品和技術,以滿足客戶可持續發展之解決方案。

      

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